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三星、铠侠减产引发2D NAND闪存供给断崖式着落警报
IT之家 5 月 13 日新闻,韩媒 chosun 今天(5 月 13 日)报路称,全球存储厂正把产能转向 HBM 和高层数 3D NAND,传统 2D NAND 与 MLC NAND 供给迅速收紧。
IT之家注:上文文末翻译有误,原文为去年(2025 年)
报路指出成熟造程存储芯片也起头出现显著缺货,64Gb MLC NAND 现货价据称较 2025 年底暴涨超过 300%,近期成交区间已到 20 至 28 美元。
图源:集国征询
该媒体以为导致 MLC NAND 现货价暴涨的一个重要原因,是三星自 3 月起逐措施整华城 Line 12 的 2D NAND 出产,并刷新该厂作为 1c DRAM 的后段工厂。
该产线正本每月晶圆产能约 8 万至 10 万片,且被视为三星最后一处 2D NAND 重要据点。依照报路说法,三星将鄙人个月实现最后一批出货,随后实现有关供给,这会进一步压缩市场上的旧规格 NAND 货源。
与此同时,铠侠(Kioxia)、SK hynix 和美光(Micron)也没有扩大 MLC 产能的意愿。TrendForce 指出,这几家厂商目前根基只按寂仔客户需要维持出产,因而全球 MLC NAND Flash 产能预计将在 2026 年同比下滑 41.7%。
这类产品单颗单元存 2 bit,容量不如 TLC 和 QLC,但数据保留能力和耐用性通常更强,因而在部门工业、网络设备和嵌入式场景里,短期内仍难齐全代替。
相比之下,头部厂商更愿意把资源投向 AI 带头的高利润产品。报路提到,三星正把 NAND 作为下一阶段重点,推动 400 层级 V10 产品。
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