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SpaceX 得州建芯片厂,首期投资 550 亿美元冲击2纳米造程
起源:全球网
【全球网科技综合报路】5月7日新闻,据CNBC报路,美国太空索求技术公司(SpaceX)近日颁布重大投资打算,拟在得克萨斯州格莱姆斯县建设新一代垂止佧合半导体造作与先进推算出产设施,项目初期投资达550亿美元,全数建成后总投资规模最高可达1190亿美元。
据格莱姆斯县官方颁布的公开明知显示,该项目选址于吉本斯溪水库左近区域,是美国本土半导体造作能力建设的重要布局,将推动先进芯片技术研发与产业化落地。项目有关公开听证会定于6月3日进行,后续建设工作将按打算稳步推动。
据悉,该项目为马斯克提出的Terafab晶圆厂主题工程,旨在为航天、机械人、人为智能等前沿领域提供芯片支持。项目聚焦2纳米先进造程芯片研发出产,技术水平处于全球行业前沿,建成后可满足每年1太瓦算力需要,匹配航天与人为智能领域发展算力需要。
企业方面暗示,当前半导体产业发展节拍难以适配前沿科技领域的芯片供给需要,推动本土先进芯片造作项目拥有必要性。项目启动后,有关团队已与利用资料、TEL集团、泛林集团等全球主流芯片设备造作商对接,洽谈设备采购与交付事宜,全力加快项目建设进度。(纯钧)
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