《科创板日报》5月26日讯 AI需要的高速增长
，正推动芯片散热技术持续演进。

今日
，SK海力士颁发推出iHBM解决规划
，技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE”
，以降低产品运行时的发热量。公司打算将iHBM技术利用于HBM5等下一代产品
，以满足高机能推算、AI数据中心等超高度集成、高带宽利用场景的严苛散热管控需要。

据悉
，iHBM有别于传统HBM依赖热量经由主题芯片（Core Die）向表传导的间接散热方式
，而是直接在热量最为集中的D2D PHY（Die-to-Die Physical Layer
，即实现HBM基础芯片与AI高速芯片之间超高速数据传输的物理互联通路）区域内嵌入热控元件ICE。ICE是一种利用绝缘、高导热性的硅基资料
，可在HBM封装内部额表构建出专用热量排出通路。

SK海力士颁布iHBM冷却规划 图源：SK海力士

相较传统规划
，iHBM可将热阻降低30%以上
，同时确保产品在高温、高负载环境下的不变运行个性。

从量产能力来看
，iHBM将选取WLP封装工艺
，可实现不变规；坎。此表
，SK海力士暗示：“该技术与客户现有SiP系统级封装环境具备高度设计兼容性
，客户无需进行大规模设计扭转
，即可直接部署
，从而有效降低了现实导入门槛。”

纵观市场
，iHBM并非首个试图将散热能力导入芯片内部的技术。

如三星的Exynos 2600芯片即选取了HPB冷却技术
，可追随DRAM一路直接封装在芯片上
，并对整体的热结构进行逐步优化；微软团队也曾开发“微流体冷却技术”技术
，即通过细如发丝的微幼通路
，直接将冷却液输送到芯片内部。

另一方面
，芯片散热技术愈发从风冷、液冷等单一表部冷却规划
，逐步朝封装内部资料优化、结构、表部冷却协同方向演进。

据银河证券
，Vera Rubin架构GPU将全面选取“钻石铜复合散热+45℃温水直液冷”全新规划；粗と赋
，将金刚石作为基板集成使用
，不仅拥有杰出的散热成效
，还能够通过重新分配整体热阻及流经该基板的温度降差
，实现芯片层面的两相冷却。这种设计可使散热机能提升10到100倍。

从存储技术发展的视角来看
，三星电子在开发下一代HBM封装技术“多层堆叠FOWLP”
，结合了超高纵横比铜柱和扇出型晶圆级封装（FOWLP）
，可提升带宽并改善设备发热量；SK海力士选取混合键合技术的12层HBM堆叠结构的验证工作已经实现
，目前在提高良率
，以便将其利用于量产。

投资方面
，海通国际证券暗示
，赛路层面
，HBM是下一阶段存储板块主题的弹性方向。伴随2027年全球AI服务器出货量持续高增、HBM3e/HBM4迭代渗入提速
，叠加先进封装与良率瓶颈仍持续约束供给开释
，看好HBM后续涨价预期。