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今日官方披露钻研成就美光股价大涨超19% 市值破万亿美元
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本周官方更新行业传递美光股价大涨超19% 市值破万亿美元
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，智能分配单据：美光股价大涨超19% 市值破万亿美元

头部存储厂商开启了市值比拼。

三星电子（005930.KS）市值突破1万亿美元后
，美股5月26日收盘
，美光科技（MU.O）大涨19.29%
，创下股价新高
，市值站上1万亿美元。5月27日盘中
，SK海力士（000660.KS）股价也一度上涨11%
，市值突破1万亿美元大关。至此
，最大的三家DRAM（动态随机存取内存）存储原厂市值都在万亿美元量级。

从收盘价看
，美光是第二家市值站上万亿美元的DRAM存储原厂。从今岁首到5月26日
，美光股价累计上涨了2.14倍
，若从2025岁首起头算起
，美光股价累计上涨9.68倍。

本钱市场对三大存储原厂的关注与AI带头的需要增长有关
，出格是与AI有关性最强的HBM（高带宽内存
，一种DRAM）
，重要就来自这三家原厂。其中
，SK海力士HBM市场份额最大
，但美光追赶速度颇快。

三家原厂中
，美光对HBM的投入也较多。据TrendForce集国征询统计
，去年SK海力士占据HBM市场的一半以上
，三星、SK海力士、美光HBM占公司内存产能的比例则别离为23%、18%和26%
，美光HBM在内存中的比例偏高。为了实现追赶
，此前美光曾凌驾HBM3一代
，直接投入HBM3e
，并进入英伟达供给链。

机构预测今年美光仍有望抢得更多HBM市场。据TrendForce集国征询数据
，去年SK海力士、美光和三星HBM出产位元占比别离为59%、20%、20%
，今年SK海力士的占比预计缩幼至50%
，美光增长至28%。HBM市场规模预计同步扩大
，预计今年将突破300亿Gb。

不外
，随着HBM4进入贸易化周期
，行业竞争也变得更强烈。有业界人士向记者分析
，美光此前追上了HBM3e利用的功夫点
，并与SK海力士一起成为HBM市场最大需要方英伟达去年的重要供给商
，三星去年则侧重AMD等其他客户。

但今年三星已在迎头赶上。随着英伟达产品迭代
，三家HBM4供给商今年同时导入英伟达供给链。今年3月的英伟达GTC大会上
，美光颁发为英伟达Vera Rubin设计的HBM4 36GB 12-high产品起头批量出货。三星也颁发
，为Vera Rubin设计的第六代HBM4进入量产周期。

对美光而言
，眼下最重要的工作蕴含推动HBM4出产顺利爬坡。在3月的财报电话会上
，美光高管暗示
，随着HBM4的出产爬坡和批量出货的进行
，预计HBM4达到成熟良率的速度将快于HBM3e。去年第三季度
，该公司达到为HBM设定的指标
，即HBM份额与DRAM整体份额吃旖
，今年将同时供给HBM3e和HBM4。

不外
，从DRAM整体收入来看
，美光与另表两家原厂相比仍有差距。据市场钻研机构闪存市场数据
，依照去年第四时度DRAM原厂营收统计
，三星市占率最高
，占比37.1%
，SK海力士和美光市占率别离为33.1%和20.8%。该季度NAND闪存营收排名中
，三星和SK海力士位居前二
，美光则位列第五
，市占率11.6%
，与其他两家差距显著。

从业绩变动看
，在截至今年2月26日的季度中
，美光营收同比增长196%至238.6亿美元
，GAAP净利润同比增长数倍至137.9亿美元。该公司预计
，2026年行业DRAM位元出货量将增长20%以上
，NAND闪存位元出货量同比增长约20%
，公司2026年的DRAM和NAND供给量增长幅杜纂行业大体吃旖。

市值站上了1亿美元的美光
，当前也与其他存储原厂一起面对行业缺货、供给严重的机缘和挑战
，并同步建设产能。业界普遍预计
，依照原厂建设进度
，到2027年存储产品仍将维持供给严重的情况。

本月行业汇报传递行业新变动美光股价大涨超19% 市值破万亿美元

头部存储厂商开启了市值比拼。

三星电子（005930.KS）市值突破1万亿美元后
，美股5月26日收盘
，美光科技（MU.O）大涨19.29%
，创下股价新高
，市值站上1万亿美元。5月27日盘中
，SK海力士（000660.KS）股价也一度上涨11%
，市值突破1万亿美元大关。至此
，最大的三家DRAM（动态随机存取内存）存储原厂市值都在万亿美元量级。

从收盘价看
，美光是第二家市值站上万亿美元的DRAM存储原厂。从今岁首到5月26日
，美光股价累计上涨了2.14倍
，若从2025岁首起头算起
，美光股价累计上涨9.68倍。

本钱市场对三大存储原厂的关注与AI带头的需要增长有关
，出格是与AI有关性最强的HBM（高带宽内存
，一种DRAM）
，重要就来自这三家原厂。其中
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，但美光追赶速度颇快。

三家原厂中
，美光对HBM的投入也较多。据TrendForce集国征询统计
，去年SK海力士占据HBM市场的一半以上
，三星、SK海力士、美光HBM占公司内存产能的比例则别离为23%、18%和26%
，美光HBM在内存中的比例偏高。为了实现追赶
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，直接投入HBM3e
，并进入英伟达供给链。

机构预测今年美光仍有望抢得更多HBM市场。据TrendForce集国征询数据
，去年SK海力士、美光和三星HBM出产位元占比别离为59%、20%、20%
，今年SK海力士的占比预计缩幼至50%
，美光增长至28%。HBM市场规模预计同步扩大
，预计今年将突破300亿Gb。

不外
，随着HBM4进入贸易化周期
，行业竞争也变得更强烈。有业界人士向记者分析
，美光此前追上了HBM3e利用的功夫点
，并与SK海力士一起成为HBM市场最大需要方英伟达去年的重要供给商
，三星去年则侧重AMD等其他客户。

但今年三星已在迎头赶上。随着英伟达产品迭代
，三家HBM4供给商今年同时导入英伟达供给链。今年3月的英伟达GTC大会上
，美光颁发为英伟达Vera Rubin设计的HBM4 36GB 12-high产品起头批量出货。三星也颁发
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对美光而言
，眼下最重要的工作蕴含推动HBM4出产顺利爬坡。在3月的财报电话会上
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，预计HBM4达到成熟良率的速度将快于HBM3e。去年第三季度
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，即HBM份额与DRAM整体份额吃旖
，今年将同时供给HBM3e和HBM4。

不外
，从DRAM整体收入来看
，美光与另表两家原厂相比仍有差距。据市场钻研机构闪存市场数据
，依照去年第四时度DRAM原厂营收统计
，三星市占率最高
，占比37.1%
，SK海力士和美光市占率别离为33.1%和20.8%。该季度NAND闪存营收排名中
，三星和SK海力士位居前二
，美光则位列第五
，市占率11.6%
，与其他两家差距显著。

从业绩变动看
，在截至今年2月26日的季度中
，美光营收同比增长196%至238.6亿美元
，GAAP净利润同比增长数倍至137.9亿美元。该公司预计
，2026年行业DRAM位元出货量将增长20%以上
，NAND闪存位元出货量同比增长约20%
，公司2026年的DRAM和NAND供给量增长幅杜纂行业大体吃旖。

市值站上了1亿美元的美光
，当前也与其他存储原厂一起面对行业缺货、供给严重的机缘和挑战
，并同步建设产能。业界普遍预计
，依照原厂建设进度
，到2027年存储产品仍将维持供给严重的情况。

这背后
，一种新的伦理自觉在形成：大天然不是任人索取的资源库
，而是万物并育的性命共同体。正如张迪在幼红书笔记中所写：“以前追星
，此刻追鸟。但这次
，我追的是自由、和平
，和一只不愿共同的戴胜。”

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